Блок питания этого телевизора построен по схеме однотактного фли - бак (боратноходового) преобразователя на ШИМ контроллере UC3843B или КА3843B и выходном MOSFET транзисторе STP4NK60Z. В блоке питания обычно выходит со строя ШИМ контроллер UC3843B. Проверяется наличие импульсов на

выходе. Полевой транзистор часто целый. Буква В - ДИП корпус.

ШИМ контроллер нужно менять ТОЛЬКО на аналогичный из приведенной линейки.
Они НЕ ВЗАИМОЗАМЕНЯЕМЫ.

Микросхемы UC3842, UC3843, UC3844, UC3845, это ШИМ контроллер с управлением по току в нагрузке и входному напряжению.

Напряжение питания 30В.
Частота преобразования 50 - 500 кГц., задается RC цепью.
Выходной ток 1А.
Предназначены для одноактных импульсных преобразователях напряжения с минимальным числом внешних компонентов.
Имеют.
Опорный генератор.
Схему термокомпенсации.
Компаратор считывания сигнала тока.
Усилитель сигнала ошибки.
Выходной каскад для подключения MOFET транзисторов.
Систему защиты от понижения напряжения.
Систему защиты от превышения тока.
Различаются.
Гистерезисом коммутации.
Коэффициентом заполнения модулирующими импульсами.

UC1842 - КЗ = 0 - 100%, гистерезис вкл/выкл 10 - 16В
UC1843 - КЗ = 0 - 100% гистерезис вкл/выкл 7,9 - 8,5В
UC1844 - КЗ = 0 - 50% гистерезис вкл/выкл 10 - 16В
UC1845 - КЗ = 0 - 50% гистерезис вкл/выкл 7,9 - 8,5В

При использовании UC1844 и UC1845, если нагрузка постоянная, можно применять трансформаторы без магнитного зазора, например на ферритовых кольцах.

Перечисленные ШИМ контроллеры часто применяются в однотактных обратноходовых преобразователях сетевого напряжения в телевизионной технике, так называемых ФЛИ-БАК преобразователях.

Полевой транзистор можно ставить любой с изолированным затвором, N каналом, U си-600В. Но лучше ставить MOSFET транзисторы, изготовленные по технологии SuperMESH или SuperMESH3.

Особенности транзисторов серии SuperMESH:

Транзисторы MOSFET серии SuperMESH отличаются от предыдущего поколения транзисторов более низким сопротивлением сток-исток (RDSon) в открытом состоянии. За счет этого пользователь может получить дополнительную экономию от использования меньшего радиатора, уменьшения места на печатной плате, уменьшения массы и габаритов изделия. Серия SuperMESH имеет встроенные встречные стабилитроны между выводами затвор - исток, что защищает переход от электростатических разрядов и выбросов напряжения во время переходных процессов. Встроенные стабилитроны устраняют необходимость установки внешних защитных компонентов. Уменьшено пороговое напряжение затвор-исток c 2В до 1.5В, что позволяет упростить цепь управления.

Приборы серии SuperMESH3TM были разработаны на основе инновационных вертикальных структур в хорошо известной технологии PowerMESHTM. Они приходят на замену семейству SuperMESHTM (серия NK) и имеют более высокую надежность и значительно улучшенные электрические характеристики. Сопротивление открытого канала у транзисторов SuperMESH3TM в среднем ниже на 20...30% ( в пределе - до 45%), чем у транзисторов SuperMESHTM и на 15...35% ниже, чем у конкурентных решений, при прочих сравнимых параметрах. Эти характеристики делают новое семейство транзисторов более эффективным за счет снижения потерь при использовании.

Области применения транзисторов серий SuperMESH и MDMesh:

· Источники бесперебойного питания;
· Адаптеры;
· Зарядные устройства;
· Корректоры коэффициента мощности;
· Электронные балласты ламп и ламп вспышки;
· Источники питания для ноутбуков, мониторов и телевизоров;
· Телекоммуникационное оборудование;
· Преобразователи солнечной энергии.

С ув. Белецкий А. И.       02.2013г.     Кубань Краснодар.