Во внешних блоках питания ноутбуков, принтеров, сканеров и другой офисной и бытовой техники почти всегда используются MOSFET транзисторы с разными "заумными" маркировками, типа 4N60L.     Все эти полевики можно смело менять на MOSFET транзисторы, изготовленные по технологии

SuperMESH или SuperMESH3.

Области применения транзисторов серий SuperMESH и MDMesh:

· Источники бесперебойного питания;
· Адаптеры;
· Зарядные устройства;
· Корректоры коэффициента мощности;
· Электронные балласты ламп и ламп вспышки;
· Источники питания для ноутбуков, мониторов и телевизоров;
· Телекоммуникационное оборудование;
· Преобразователи солнечной энергии.

Особенности транзисторов серии SuperMESH:

Транзисторы MOSFET серии SuperMESH отличаются от предыдущего поколения транзисторов более низким сопротивлением сток-исток (RDSon) в открытом состоянии. За счет этого пользователь может получить дополнительную экономию от использования меньшего радиатора, уменьшения места на печатной плате, уменьшения массы и габаритов изделия. Серия SuperMESH имеет встроенные встречные стабилитроны между выводами затвор - исток, что защищает переход от электростатических разрядов и выбросов напряжения во время переходных процессов. Встроенные стабилитроны устраняют необходимость установки внешних защитных компонентов. Уменьшено пороговое напряжение затвор-исток c 2В до 1.5В, что позволяет упростить цепь управления.

Приборы серии SuperMESH3TM были разработаны на основе инновационных вертикальных структур в хорошо известной технологии PowerMESHTM. Они приходят на замену семейству SuperMESHTM (серия NK) и имеют более высокую надежность и значительно улучшенные электрические характеристики. Сопротивление открытого канала у транзисторов SuperMESH3TM в среднем ниже на 20...30% ( в пределе - до 45%), чем у транзисторов SuperMESHTM и на 15...35% ниже, чем у конкурентных решений, при прочих сравнимых параметрах. Эти характеристики делают новое семейство транзисторов более эффективным за счет снижения потерь при использовании.

Из практики применения мощных полевых транзисторов.

В схеме блока питания для ноутбуков ради интереса были испытаны два разных полевых транзистора - IRF840, с сопротивлением СИ 0,55 Ом и P4NK60ZFP технологии SuperMES, с с сопротивлением СИ 2 Ом.

На IRF840 температура корпуса была 45 градусов, на P4NK60ZFP - 35, не смотря на существенное (в 4 раза!) увеличенное R(ds) on.

Этот эксперимент очередной раз подчеркивает, что скорость переходных процессов переключения играет гораздо более значимую роль в КПД, чем минимальное сопротивление открытого перехода.

Применяя при ремонте импульсных БП для ноутбуков SuperMES транзисторы P4NK60ZFP, блоки питания, после ремонта, меньше греются.

Если смотреть осциллографом работу транзистора в БП, переходные процессы у P4NK60ZFP короче , особенно процесс закрытия, по сравнению с одним из самых распространенным транзистором IRF840, при равных условиях.

SuperMES транзисторы эффективнее обычных. Сейчас уже есть второе и третье поколение этой технологии, у них еще покруче фронты будут.

Я признал силовые МОП транзисторы фирм IR и STMicroelectronics.

STM также делает на сегодняшний день лучшие микроконтроллеры.

Всю необходимую информацию о MOSFET (МОП) транзисторах можно посмотреть по этим ссылкам.
МОСФЕТы руководство по выбору.
Полевые транзисторы фирмы STMicroelectronics.
Новое поколение МОСФЕТ SuperMESH транзисторов.

С ув. Белецкий А. И.       06.07.2014г.     Кубань Краснодар.