   |
 |
По вопросам ремонта и другим техническим вопросам сюда. Ремонт бытовой и офисной техники.
Преобразователь напряжения выполнен на двухтактном микроконтроллере электронных пускорегулирующих аппаратов ЭПРА 1211ЕУ1, по типовой схеме включения. Микросхема представляет специализированный микроконтроллер с питанием от 3 до 24 Вольт, с малой потребляемой мощностью, выполненного на полевых транзисторах. Данный контроллер имеет двухтактный выходной каскад с защитным интервалом, содержит малое количество навесных элементов, имеет два вывода для защиты по питанию, вывод для выбора рабочей частоты, максимальный выходной ток 250 мА.
Номиналы резисторов для каждого прибора разные и выбираются по отклонению стрелки на последнее деление шкалы при закороченных клеммах К/Э. Чувствительность магнитной системы применяемого прибора должна быть в пределах 10-50 микроампер. Стрелочный прибор с чувствительностью более 50 микро Ампер ставить нельзя, при таком токе существует возможность выхода из строя проверяемых полупроводниковых элементов.
Для чего нужен этот прибор.
При помощи измерителя предельных рабочих напряжений P-N переходов можно проводить следующие измерения.
· Точно и без вреда измерять предельно допустимые напряжения переходов всех полупроводниковых приборов.
· Определять необходимую величину сопротивления запирающего резистора в цепи Б/Э.
· Исследовать зависимость величины сопротивления базового резистора от изменения коллекторного напряжения и температуры.
· Проверять качество изоляции.
· Проверять напряжения утечек.
Теоретические обоснования.
Максимальное напряжение, которое может выдержать транзистор, а точнее P-N переход, ограничивается напряжением пробоя. Пробой перехода выражается резким увеличением обратного тока при достижении обратным напряжением критического значения. Если при проверке рабочий ток ограничить, до гарантировано безопасного уровня, порядка 10 50 микро Ампер, то никакого вреда испытуемому элементу при проверке нанесено не будет. В доказательство этому утверждению, свидетельствует тот факт, что за десять лет эксплуатации прибора, ни одного экземпляра полупроводниковых приборов испорчено не было. Максимальный ток прибора равен 30 микро Амперам.
Механизм пробоя определяется физическими параметрами применяемого материала, типом проводимости, конструктивно технологическими особенностями, мощностью, условиями эксплуатации, коэффициентом использования максимально допустимых режимов, и т. д.
По типу пробои делятся на электрический и тепловой.
Пробой перехода Коллектор - эмиттер транзистора зависит от рабочего режима его базовой цепи. В приборе для проверки транзисторов это условие нужно учитывать, для этого в базовую цепь необходимо поставить переменное сопротивление для имитации различных режимов эксплуатации. При таком построении схемы можно вывести зависимость пробивного напряжения от базового сопротивления при влиянии внешних факторов.
Зная динамическую кривую рабочих напряжений и токов нагрузки, с помочью такого прибора можно точно выбрать подходящие типы элементов из имеющихся в наличии.
Следует сказать, что с базовыми резисторами баловаться не стоит. Если их ставить от балды или других мощных приборов, с округлыми формами, плавно переходящих в главные образы других тем :))), то это скажется на работе всей схемы. От их величины меняются рабочие параметры транзисторов.
Вкратце эту зависимость можно описать так.
Чем меньше будет сопротивление резистора Б-Э, тем меньше зависимость пробивного напряжения и тока К/Э от температуры перехода, но эти запирающие резисторы влияют на коэффициент усиления и динамические характеристики полупроводникового прибора.
Величина номинала базового резистора должна обеспечивать необходимый запас разброса рабочих параметров элементов каскада.
Этим прибором можно проверить только величину напряжения только первичного пробоя P/N переходов.
Есть еще так называемый вторичный пробой.
|
|
Он происходит при определенном сочетании влияющих параметров в основном при больших рабочих напряжениях и токах, даже если они не превышают предельные значения. У любого транзистора работающего в активном режиме при прямом или обратном смещении на переходе Э/Б может возникнуть второй пробой. Параметры вторичного пробоя в радиолюбительской практике нельзя измерить, потому что не возможно смоделировать условия, провоцирующие такой пробой. Для этого нужны лабораторные условия, необходимое оборудование, опыт работы в этом направлении и соответствующее программное обеспечение, на котором можно гибко моделировать происходящие процессы, влияющие на образование вторичного пробоя. |
Чтобы избежать этого явления, нужно внимательно читать документацию на применяемые транзисторы. Изготовители полупроводниковых приборов обычно определяют области их безопасной работы, исключающие возможность появления такого пробоя. Так же, в схемах, где прогнозируется большая вероятность возникновения второго пробоя, следует применять транзисторы с эпитаксиальной базой, ставить балластные стабилизирующие резисторы в эмиттерные цепи, а также применять существующие схемные решения, уменьшающие вероятность второго пробоя.
Практика показывает, что второму пробою подвержены транзисторы, работающие с индуктивными нагрузками в ключевом режиме. Вероятность второго пробоя сужает область безопасной работы высокочастотных силовых транзисторов. Даже при средней мощности они могут выйти из строя.
В справочниках для режима прямого смещения транзисторов, предназначенных для работы в таких условиях, приводятся значения тока второго пробоя.
Кому для понимания процесса измерения необходима общая информация о коэффициентах усиления транзисторов и классификации параметров их работы обращайтесь к статье -
Прибор для проверки коэффициента усиления мощных и маломощных транзисторов.
Здесь вкратце описано появление первого транзистора.
Когда и где появился первый в мире транзистор.
Возникшие вопросы можно решить по электронной почте или по телефону.
С ув. Белецкий А. И. 06.07.2014г. Кубань Краснодар.